在晶圆代工市场上，在14nm节点上多少还抢先台积电一点时刻，10nm节点开端掉队，7nm节点上则是台积电大获全胜，台积电乃至赢得了简直一切7nm订单，三星只要自家Exynos及IBM的7nm订单，台积电也因而宣扬自己在7nm节点上抢先友商1年时刻。
再往后呢？三星、台积电也发布了7nm之后的6nm、5nm及3nm工艺了，其间在3nm节点上台积电也出资了200亿美元建厂，只不过他们并没有具体的介绍过3nm工艺道路图及技能水平。
日前三星在美国的晶圆代工论坛上发布了自家的工艺道路图，FinFET工艺在7、6、5、4nm之后就要转向GAA盘绕栅极晶体管工艺了，3nm节点开端使用第一代GAA工艺，官方称之为3GAE工艺。
依据全新的GAA晶体管结构，三星使用纳米片设备制作出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道场效应管），该技能能明显地增强晶体管功能，首要替代FinFET晶体管技能。
此外，MBCFET技能还能兼容现有的FinFET制作工艺的技能及设备，然后加快工艺开发及出产。
依据三星的道路GAE工艺了，这时候台积电也差不多要进入3nm节点了，不过台积电没有清晰3nm的技能细节，这在某种程度上预示着三星已经在GAA工艺上抢先了。
可是三星的野心不止于此，现在没有有公司宣告3nm之后的半导体工艺，现在我们都以为摩尔定律在3nm之后就要完全失效，遭受量子物理的检测，而三星则期望凭借GAA工艺开发2nm工艺，未来乃至要完成1nm工艺。
