英伟达RTX 30系显卡预计将于8月底正式对外发布，而现在关于英伟达RTX 30系显卡的消息也慢慢变得多，有爆料人士称英伟达的30系显卡慢慢的开始正式出样，就是说工程样品已然浮现，预计在光追性能上有大幅度的提高，此外在工艺上将会采用三星的8nm工艺而不是之前所说的台积电7nm工艺。
Moore’s Law is Dead指出，由于目前台积电的产能不能够满足英伟达的需求，因此英伟达不得不选择三星的8nm制造工艺作为临时替代品，因此今年的所有30系显卡都将采用三星8nm工艺，而到了明年开始的30系SUPER系列显卡才有机会搭载台积电的7nm EUV工艺。
此外爆料人士还曝光了英伟达30系显卡的具体参数，称无论是RTX 3080还是RTX 3080 Ti，它们的芯片代号都是GA102，采用了三风扇的设计，此外电源接口也从过去的8Pin变成了12Pin，基准频率为2GHz，加速频率达到了2.2GHz，同时4K性能比RTX 2080 Ti高了40%，光线追踪性能更是达到了RTX 2080 Ti的3至4倍，此外英伟达30系显卡还将支持DLSS 3.0特性，相当地给力。
当然具体30系显卡能达到怎样的水平，我们仍旧是要看具体的参数以及性能才能够知道。
